AlGaAs yarıiletken bileşiğinde elektron taşınım özelliklerinin monte carlo simulasyonu ile incelenmesi

Yarı iletkenlerde elektron taşınımına son yıllardaki araştırmalarda dikkate değer şekilde ilgi duyulmaktadır. Uygulanan elektrik alanın elektron sürüklenme hızına olan bağımlılığı bu tip araştırmalarda ana amaç haline gelmiştir. Direkt geçişli yarı iletkenlerin önemli karakteristiklerinden biri, sürüklenme hızının elektrik alan artarken, maksimumunun yüksek değerler almasıdır. İndirekt geçişli malzemeler de ise sürüklenme hızının maksimumunun daha düşük değerler alması beklenebilir. Galyum Arsenit yarı iletken bileşiğinin direkt geçişli bir yarı iletken olduğu bilinmektedir. Galyum Arsenit içerisine alüminyum ilave edilerek yeni bir yarıiletken bileşik olan alüminyum galyum arsenit elde edilmektedir. Alüminyum galyum arsenit düşük oranlarda alüminyum içeriyorsa direkt geçişli bir malzemedir. Ancak alüminyum galyum arsenit bileşiğinin içerisindeki alüminyum miktarı arttıkça malzeme indirekt geçişli hale gelmektedir. Bundan dolayı, bu tez çalışmasında alüminyum galyum arsenit malzemesindeki alüminyum oranı arttırıldıkça sürüklenme hızının elektrik alan ile nasıl değiştiği ve bu değişim esnasında, hangi tip saçılmaların rol aldığı ve bu saçılmaların sürüklenme hızı elektrik alan grafiğine olan etkisi 77K, 300K ve 450K sıcaklıkları için incelenmiştir.