Fe katkılı tio2 ince filmlerin eldesi

Bu çalışmada katkısız TiO2ve farklı oranlarda Fekatkılı (%1,%5, %10)TiO2 ince filmler Sol-jel tekniğiyle Silisyum (Si) alttaşlar üzerine oda sıcaklığında büyütüldü.Elde edilen TiO2 ince filmlerin yüzeysel, elektriksel ve optiksel özellikleri araştırıldı. Numunelerin yüzeysel özelliği Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ile incelendi. AFM yardımıyla ölçülen numunelerin yapısal özelliklerinin granüler yapıda olduğu ve alttaşın üzerinde homojen bir şekilde depolandığı görüldü. Büyütülen ince film numunelerinin elektriksel özelliklerinin incelenmesi amacıyla Akım- Voltaj (I-V), Kapasitans- Voltaj (C-V) ve Akım-Zaman (I-t) ölçümleri farklı ışık şiddetleri altındaki aydınlatmalarda yapıldı ve numunelerin doğrultucu özellik gösterdiği tespit edildi. Güneş ışığı altında fotodiyotların fotoakımının, artan ışık şiddeti ile arttığı ve ışık yok iken ilk değerine geri döndüğü tespit edildi. İnce filmlerin optik özellikleri UV-visspektrofotometrisi kullanılarak ölçülüp, bant aralığı enerjileri hesaplandı