GeSe bileşiğinin iki ve üç boyutlu kristal yapılarının kararlılıklarının ab-initio yöntemle incelenmesi

Bu tez çalışmasında, GeSe bileşiğinin α, β ve γ fazlarının iki ve üç boyutlu kristal yapılarının yapısal, elektronik, mekanik, termodinamik ve termoelektrik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio metoduyla incelendi. Değiş-tokuş korelasyon enerjisinin hesabında genelleştirilmiş grandyent yaklaşımı ve Grimme methodu kullanıldı. GeSe bileşiğinin elektronik bant yapıları, elastik sabitleri, polikristal özellikleri hesaplandı ve yorumlandı. Ayrıca, fonon dağınımı ve fonon durum yoğunlukları, termodinamik ve termoelektrik özellikler detaylı incelendi. Hesaplanan örgü parametreleri kuramsal ve deneysel çalışmalar ile uyum içindedir. GeSe bileşiğinin α, β ve γ fazları mekaniksel ve dinamik yönden kararlılık göstermektedir.