Talyum galyum disülfid (TlGaS2) ince filmlerinin dielektrik özelliklerinin incelenmesi

İnce filmler, elektronik devre cihazlarındaki yarıiletken aletlerin yapımında, optik sistemlerde ve kayıt cihazlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bu nedenle bulk halde bulunan TlGaS2, (TlSbS2)0.5(TlGaS2)0.5 ve (TlSbS2)0.97(TlGaS2)0.03 katkılı bileşikleri termal buharlaştırma yöntemi kullanılarak ince film formunda örnekler elde edildi. Hazırlanan bu örneklerin kapasitesi ve kayıp faktörü oda sıcaklığında frekansa, kalınlığa ve katkı oranına bağlı olarak ölçüldü. Ölçülen kapasite ve kayıp faktörlerinden faydalanarak dielektrik kaybı, dielektrik sabiti ve değişken elektrik alan iletkenliği hesaplandı. Son olarak ölçülen ve hesaplanan dielektrik datalar kalınlığa, frekansa ve katkı oranına bağlı olarak verdikleri cevaplar incelenmiştir.