Al/Coronene/n-Si Schottky diyotlarının seri dirençlerinin hesaplanması

Schottky tabanlı metal/organik/yarıiletken yapılar, üretim teknolojilerinin gelişmesi ve her geçen gün önemlerinin artması sonucunda dedektörler, güneş pilleri, anahtarlama elemanları, mikrodalga devre elemanları gibi birçok farklı kullanım alanları bulmuşlardır. Bir metal/organik/yarıiletken oluşumunda engel yüksekliğinin kontrolü, yüksek performanslı bir opto-elektronik devre elemanı tasarlamak için önemlidir. Devre elemanının performansı ve güvenirliği, o malzemenin atomik boyutta geometrik ve elektronik özellikleri ile yakından ilişkilidir. Bu kapsamdan yola çıkarak araştırmanın amacı: Metal/Organik/Yarıiletken yapıların, elektriksel karakteristikleri incelenerek, seri dirençlerinin hesaplanmasıdır. Buna göre; öncelikli olarak n-tipi Si yarıiletkenler ve kaplanan metaller farklı kimyasal yöntemlerle temizlendikten sonra, metal ve organik madde (CORONENE- C24H12) yarıiletken yapının üzeri vakumlu ortamda evaporasyon yöntemiyle kaplama yapılarak, Al/Coronene/n-Si Organik Schottky Diyot yapıları oluşturulmuştur. Elde edilen bu yapıların iki ucundan elektriksel bağlantı yapılarak karakterizasyon işlemleri yapılmıştır. Uygulama aşamasında her numune oda sıcaklığında I-V (Akım-Gerilim) ölçümleri bilgisayar kontrollü cihazlar ile alınarak diyot parametreleri hesaplanmıştır. Ayrıca farklı üretim yöntemleri kullanılarak, Schottky tabanlı Metal/Organik/Yarıiletken yapılarının elektriksel özelliklerinde değişiklik meydana getirilmenin de mümkün olduğu görülmüştür.