Au/bodıpy-ph-oh/n-si/ın schottky diyotunun elektriksel parametrelerinin aydınlatma şiddetine bağlı araştırılması

Bu çalışmada, spin kaplama tekniği kullanılarak n-tipi silisyum altlık üzerine BODIPY-Ph-OH organik bileşiği ince film olarak büyütülmüştür. Au/BODIPY-Ph-OH/n-Si/In Schottky diyotu üretilerek, bu diyota ait diyot parametreleri oda sıcaklığında, karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında I-V ölçümleri alınarak incelenmiştir. Bu incelemelere bağlı olarak diyotun engel yüksekliği ve idealite föktörü değerleri karanlık için sırasıyla 0.828 eV ve 2.32, 100 mW/cm2 için sırasıyla 0.873 eV ve 1.56 olarak bulunmuştur. Aydınlatma şiddetinin artmasıyla engel yüksekliği değeri artarken idealite faktörünün azaldığı görülmektedir. Üretilen diyotun seri direnç değerleri karanlık ve 100 mW/cm2 için sırasıyla 2660 Ω ve 1200 Ω olarak bulunmuştur. Au/BODIPY-Ph-OH/n-Si/In diyotuna ait açık devre voltajı ve kısa devre akımı değerleri 100 mW/cm2 için sırasıyla 0.18 V ve 0.033 mA olarak bulunmuştur. Bulunan sonuçlar incelendiğinde Au/BODIPY-Ph-OH/n-Si/In Schottky diyotunun ışığa karşı duyarlı olduğu ve fotovoltaik davranış gösterdiği görülmüştür.