Au/SnO2/n-Si/Au schottky diyotlarda akım-gerilim karakteristikleri üzerine gama radyasyonunun etkisi

Bu tez çalışmasında metal-yarıiletken arasına püskürtme yöntemi ile kalay oksit (SnO2) tabaka büyütülerek bir Au/SnO2/n-Si Schottky yapı elde edildi. Schottky diyot yapının radyasyon öncesi ve sonrasında akım-voltaj (I-V) ölçümleri alındı. Üretilen diyot 10kGy 60Co gama ışınına maruz bırakıldı. Radyasyon öncesi ve sonrası doyma akımı (I0), idealite faktörü (n), engel yükseklği (ΦB) , seri direnç (Rs) ve ara yüzey durum yoğunluğu (NSS) gibi diyot parametreleri termiyonik emisyon teorisi kullanılarak hesaplandı. Hesaplanan parametreler I0, n, ΦB sırasıyla 0 kGy'de 2,33x10-6 A, 3,49, 0,627 eV olarak, 10 kGy' de ise 2,70x10-7A, 2,45 ve 0,683 eV olarak hesaplanmıştır. Radyasyondan sonra idealite faktörünün azalırken engel yüksekliğinin arttığı gözlemlenmiştir. Cheung ve Norde yöntemleri kullanılarak seri direnç hesabı yapılmıştır. Norde yöntemi ile Rs ve ΦB değerleri sırasıyla 0 kGy'de 1,37 kΩ ve 0,641 eV olarak, 10 kGy de; 2,20 kΩ ve 0,686 eV olarak bulunmuştur. Radyasyondan sonra seri direnç değerinin arttığı görülmüştür. Radyasyondan önce ve sonra ara yüzey durum yoğunluğu (NSS), EC-ESS enerji aralığında belirlenmiştir. Işınlama öncesi 0 kGy için bu değerler: EC-0,498 eV'de 4,14x1012 cm-2eV-1'den; EC- 0,606 eV'de 7,56x1011 cm-2eV-1'e azaldığı görülmüştür. Işınlama sonrası 10 kGy'de ise NSS değerleri, EC-0,496 eV'de 2,84x1012 cm-2eV-1'den; EC-0,610 eV'de ise 4,10x1011 cm-2eV-1'e azaldığı görülmüştür.