BODIPY arayüzeyli diyotların elektriksel parametrelerinin aydınlatma şiddetine bağlı araştırılması

Bu tez çalışmasında, C_42 H_36 B_2 F_4 N_4 organik bileşiği spin kaplama yöntemi ile n tipi silisyum kristalinin üzerine ince film olarak büyütülmüştür. C_42 H_36 B_2 F_4 N_4 organik bileşiği sentezi ilk defa bu çalışmada yapılmıştır ve BODIPY-MF ismi verilmiştir. Au/BODIPY-MF/n-Si/In diyotu üretildi ve diyota ait elektriksel parametreler karanlık ve farklı aydınlatma şiddetlerinde I – V ölçümleri kullanılarak incelendi. Diyot ve fotodiyot parametrelerinden olan idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ϕ_b), kısa devre akımı (I_sc), açık devre gerilimi (V_oc) ve dolum faktörü (FF) gibi parametreler hesaplanmıştır. İdealite faktörü (n) ve engel yüksekliği (ϕ_b) değerleri karanlık için sırasıyla 2,66 ve 0,906 eV, 100 mW/〖cm〗^2 için ise sırasıyla 1,21 ve 0,967 eV olarak hesaplanmıştır. Hesaplamalardan da görüldüğü gibi engel yüksekliği (ϕ_b), artan aydınlatma şiddeti ile birlikte idealite faktörünün azalmasıyla artmıştır. Yapmış olduğumuz diyotun 100 mW/〖cm〗^2 aydınlatma şiddetindeki kısa devre akımı (I_sc), açık devre voltajı (V_oc ) ve dolum faktörü (%) sırasıyla 8,93×〖10〗^(-4) mA/〖cm〗^2, 0,14 V ve 20,23 olarak hesaplanmıştır. Sonuç olarak hazırlamış olduğumuz Au/BODIPY-MF/n-Si/In diyotunun ışığa karşı duyarlı olduğunu ve fotovoltaik özellik gösterdiği görülmüştür.