Bor yerleştirilmiş silisyum üzerindeki serigrafik ve buharlaşmış metal kontakların incelenmesi

Cihaz üretimindeki avantajlar ve düşük maliyet nedeni ile p-tipi dilimler üzerinde üretilen kristal silikon (c-Si) güneş hücreleri, fotovoltaik (PV) pazarına hakim olmaya devam ediyor. Öte yandan, n-tipi Czochralski (CZ) alttaşlar üzerinde yapılan çalışmalar, daha yüksek azınlık taşıyıcı ömrü, daha kolay yüzey pasivasyonu, ışık kaynaklı bozulmanın olmaması ve metalik safsızlıklara kara düşük hassasiyet gibi üstün malzeme ve proses avantajlarından dolayı karasal uygulamalar için p-tipi alttaşlara göre avantajlı olduklarını göstermiştir. Bu avantajlarla, n-tipi CZ tabanlı c-Si güneş hücreleri, geleceğin PV endüstrisinde büyük bir potansiyele sahiptir. Öte yandan, n-tipi hücre üretiminde bir çok zorluklar ve yükske maliyet söz konusudur. Bu zorlukları aşmak üzere alternatif prosesleri içeren çalışmalar yürütülmektedir. İyon ekme (Ion Implantation) katkılama işlemi içinkullanılan ve olldukça umut veren alternatif proseslerden bir tanesidir. Bu tezin amacı, elek baskı ve e-demeti buharlaştırma yöntemi ile oluşturulmuş metal kontaklarla boron ekilmiş silisyum katkılama aktivasyon sıcaklığını ve süresini optimize etmektir. İyon ekimin homojenliğini anlamak için tabaka direnci ölçümleri yapılmıştır. Al2O3/SiNx katmanlı yapısı sırasıyla pasivasyon ve yansıma önleyici kaplama yöntemleri için kullanılmıştır. Ayrıca, daha derin bor konsantrasyonunun daha düşük temas direncine yol açtığı gerçeği, İletim Hattı Ölçümü (TLM) kullanılarak e-demeti ve elek baskı yöntemi ile üretilmiş metal kontaklarla kontak direnci değerleri ile test edilmiştir. Bu tez, boron ekilmiş Si üzerine metal kontak oluşturma konusunda ayrıntılı deneysel çalışmaların sonuçlarını sunmaktadır.