CdO/p-Si heteroeklem fotodedektörlerin üretilmesi ve elektriksel karakterizasyonu

Bu çalışmada, katkısız ve % 0,2, % 6 ve % 10 Mn katkılı CdO ince filmler Sol-jel metoduyla Silisyum altlıklar üzerine oda sıcaklığında büyütüldü. Elde edilen CdO ince filmlerin yüzeysel, elektriksel ve optiksel özellikleri araştırıldı. Numunelerin yüzeysel özelliği Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ile incelendi. AFM yardımıyla ölçülen numunelerin yapısal özelliklerinin granüler yapıda olduğu ve altlıkların üzerinde homojen bir şekilde depolandığı görüldü. Büyütülen ince film numunelerinin elektriksel özelliklerinin incelenmesi amacıyla, Akım- Voltaj (I-V), Kapasitans- Voltaj (C-V) ve Akım-Zaman (I-t) ölçümleri farklı ışık şiddetleri altındaki aydınlatmalarda yapıldı ve numunelerin doğrultucu özellik gösterdiği belirlendi. Güneş ışığı altında fotodiyotların fotoakımı, artan ışık şiddeti ile arttığı ve ışık yok iken ilk değerine geri döndüğü, fotodiyotların artan frekans karşısında azalan kapasitans değeri gösterdiği tespit edildi. İnce filmlerin optik özellikleri UV-vis spektrofotometrisi kullanılarak ölçüldü ve yasak enerji aralığı, yansıma spektrumları kullanılarak hesaplandı.