CuIn0.7Ga0.3Se2 ince filmlerin üretilmesi ve güneş pili yapımı için özelliklerinin araştırılması

CuIn0.7Ga0.3Se2 ince filmi yasak band aralığı ~1,14 eV olan ve elektromanyetik spektrumun geniş bir aralığında yüksek soğurma kapasitesine sahip bir fotovoltaik malzemedir. Tez çalışmasında Termal Buharlaştırma ile ürettiğimiz CuIn0.7Ga0.3Se2 ince filminin aydınlık ve karanlık ortamda optik ve elektriksel özelliklerini ayrıca yapısal ve yüzey özelliklerini inceledik. CuIn0.7Ga0.3Se2 ince filmi kolay eldesi, zararlı olmaması ve diğer alternatif güneş pili malzemelerine göre alternatif olma potansiyelinden dolayı son yıllarda yaygın olarak çalışılmaktadır. İnce Film kaplama yöntemlerinden ucuz bir maliyetle kolay uygulanabilirliği ve film kompozisyonunun kontrolünün kolaylığı ve yüksek vakum olması nedeniyle Termal Buharlaştırma yöntemi malzemenin üretimini hem kolaylaştırmış hem de kalitesini artırmıştır. Çalışmamızda İlk olarak malzemeyi ön reaksiyon ile kuartz ampul içerisinde kristal olarak sentezledik ve daha sonra Termal buharlaştırma yöntemi ile ince film olarak Molibden (Mo) alttaş üzerine kapladık. Optik ve elektriksel karakterizasyonunu aydınlık ve karanlık ortamda incelerken oluşan filmin ayrıca yapısal ve yüzey analizinide XRD difraktometresi ve AFM cihazlarıyla gerçekleştirdik. Elde ettiğimiz filmlerin iyi soğurma özelliğine ve yüksek elektriksel iletkenliğe sahip olduğunu gördük, yüzey morfolojisinin ise oldukça düzgün ve tane ouşumunun belirgin olduğu gözlemledik. Bu sonuçlar bağlı olarak üretilen CuIn0.7Ga0.3Se2 ince filminin güneş pili uygulamalarında tercih edilebilir bir malzeme olabileceğini göstermiştir. Anahtar Kelimeler: CuIn0.7Ga0.3Se2 (CIGS), Fotovoltaik, Termal Buharlaştırma, İnce Film Kaplama.