0.15um GaAs phemt teknolojisi kullanılarak tam entegre Gilbert Cell alt dönüştürücü mikser tasarım ve üretimi

Bu tez çalışmasında, 0.15um GaAs pHEMT teknolojisi kullanılarak ultra geniş bant aralığında (1-9 GHz) çalışan aktif Gilbert Cell alt dönüştürücü mikser tasarımı ve üretimi sunulmuştur. Gilbert Cell mikser, aktif RF ve LO balunlar ile beslenmektedir ve aktif çıkış balunu düşük frekanslı IF frekansına (100 MHz) göre tasarlanmıştır. Ortak beyz konfigürasyonu kullanılmış transistörler giriş empedans uyumu için RF ve LO balunlarını sürmektedir. Dönüşüm kazancı tüm frekans bandında ±1 dB düzgünlükle 17 dB olarak elde edilmiş olup, tek yan bant gürültü faktörü yaklaşık olarak 9.4~14 dB'dir. Giriş P1dB ve IIP3 değerleri sırası ile -11.61 dBm ve -1.61 dBm olarak elde edilmiştir. RF-LO ve LO-RF izolasyonu 30 dB'nin üzerindedir. 3.3V tek gerilim kaynağı ile beslenen tüm kıymığın ve mikser çekirdeğinin güç tüketimi sırası ile 163 mW ve 34.65 mW'dır. Bütün simülasyonlar, RF gücü -12 dBm ve LO gücü +11 dBm iken yapılmıştır. Kıymık tam entegre olup, tüm balunlar ve padler dahil edildiğinde 3.4x1.84 mm2 boyutuna sahiptir. Tasarım aşamaları AWR simülasyon ortamında, WIN-PL1512 tasarım kütüphanesi kullanılarak yapılmıştır. Yazarın bildiği kadarı ile, belirtilen frekans aralığında, üç girişinde aktif balunlar içeren ve tek gerilim kaynağı kullanan GaAs pHEMT tabanlı Gilbert Cell alt dönüştürücü mikser tasarımına literatür taramalarında rastlanmamıştır.