Güneş pillerinde kullanılan metal/organik/inorganik yapıların kapasitans-gerilim parametreleri üzerine gama radyasyonunun etkisi

Bu tez çalışmasında, Schottky diyotlarının organik arayüzeyli olanları üretilmiş ve iyonize radyasyona bağlı temel elektriksel parametrelerindeki değişimler incelenmiştir. Bunun için p tipi bir silisyum alttabaka üzerine ince bir organik arayüzey tabakasının kaplanmasıyla metal/organik/inorganik yapılar oluşturulmuştur. Arayüzey tabaka olarak coronenen organik bileşiği kullanılmış olup, bu malzeme silisyum alttabaka üzerine dönerek kaplama yöntemiyle ince film şeklinde büyütülmüştür. Termal buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar oluşturulduktan sonra yapıların oda sıcaklığında ve karanlık ortamda gerilime ve frekansa bağlı kapasite ve iletkenlik ölçümleri yapılmıştır. Ölçümlerden elde edilen veriler yardımıyla yapının temel diyot parametreleri farklı teknikler kulanılarak incelenmiştir. Karakterizasyon işlemleri sonrasından yapılar, 60Co gamma kaynağı kullanılarak 12 kGy'lik gamma ışınlarına maruz bırakılmış, ışınlanma sonrası aygıtın temel parametrelerindeki değişimleri incelemek amacıyla karakterizasyon işlemleri tekrarlanmıştır. Yapıların radyasyon öncesi ve sonrası gerilime bağlı iletkenlik ve kapasite eğrileri Schottky tipi davranış göstermiştir. İyonize radyasyon sonrası yapıların kapasite ve iletkenlik değerlerinde azalmalar, seri direnç değerlerinde ise artma meydana gelmiştir. Bu durum radyasyonun meydana getirdiği seri direnç etkilerine ve alıcı benzeri arayüzey tuzaklarının oluşmasına atfedilmiştir. İyonize radyasyon sonrası arayüzey durumları azalma göstermiş, bu durum değerlik bandının üst kısımlarında yerleşmiş donor benzeri aktif arayüzey durumlarının arayüzey tabaka tarafından pasifize edilmesine atfedilmiştir.