H6-II tipi transformatörsüz eviricinin reaktif güç üretim kabiliyetinin farklı modülasyon yöntemleri ile irdelenmesi

Bu çalışmada, tek fazlı H6-II tipi transformatörsüz eviricinin reaktif güç üretim kabiliyetinin farklı modülasyon tekniği, modülasyon sinyali (MS), taşıyıcı sinyali (TS) ve modülasyon stratejileri (MStr) ile irdelenmesi yapılmıştır. Öncelikli olarak, geleneksel modülasyon stratejisi ve çeşitli modülasyon ve taşıyıcı sinyallerin oluşturmuş olduğu sinüzoidal darbe genişlik modülasyonu (SDGM) ve üçüncü harmonik enjekteli darbe genişlik modülasyonu (ÜHE-DGM) modülasyon tekniği modlarının (Mod I-VI) şebekeden bağımsız H6-II tipi eviricide meydana getirdiği performanslar ayrı ayrı ortaya konulmuş ve karşılaştırmalı bir analiz yapılmıştır. Sonrasında, SDGM ve hibrit darbe genişlik modülasyonu (HDGM) temelli çeşitli modülasyon stratejileri (geleneksel, geleneksel-ayrık, geliştirilmiş ve geliştirilmiş-ayrık), modülasyon ve taşıyıcı sinyallerin meydana getirmiş olduğu modlar (Mod I-XVI) ışığında anahtarlama işaretleri üretilip şebeke bağlantılı hale getirilmiş H6-II tipi eviricisi anahtarlarına uygulanmıştır. Her bir mod için eviricinin aktif ve reaktif güç enjeksiyon kabiliyeti irdelenmiştir. Son olarak, güç enjekte (aktif veya reaktif), modülasyon tekniği (SDGM veya HDGM), modülasyon stratejisi (MStr 1-6), modülasyon sinyali (MS 1-2) ve taşıyıcı sinyali (TS 1-6) türleri dikkate alınarak oluşturulan modlara bağlı olarak ortak mod gerilimi (V_CM) ve kaçak akım (i_cm) davranışı irdelenmiş. Farklı parazitik kondansatör (C_fv) değerleri için kaçak akım (i_cm) değerindeki değişim gözlemlenmiştir.