RDL Thesis logo
Master'sOpen Access
TR
|EN

In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 ve InSiTe3 bileşiklerinin mekaniksel ve elektronik özelliklerinin AB Inİtİo yöntemle incelenmesi

2019
0 views
0 downloads
Advisor: Prof. Dr. Engin Deligöz

Abstract (TR)

Bu tez çalışmasında, In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 ve InSiTe3 bileşiklerinin trigonal kristal yapısının yapısal, mekaniksel, anizotropi özellikleri, elektronik band yapıları ve termodinamik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio metoduyla incelendi. Değiş tokuş enerjisinin hesabında genelleştirilmiş grandyent yaklaşımı (GGA-PBE) kullanıldı. Bileşiklerin elektronik band yapıları, elastik sabitleri, bulk modülü, Young modülü, shear modülü, Poisson oranları, sertlikleri, Debye sıcaklıkları, ses hızları ve anizotropi faktörleri ilk kez hesaplandı ve yorumlandı. Hesaplanan örgü parametreleri deneysel çalışmalar ile uyum içindedir. Tüm bileşikler yapısal ve mekaniksel yönden kararlılık göstermektedir.

Author

Dr. Mehmet Abdurrahman Korkmaz

Institution

Aksaray University
Aksaray University
Institute of Graduate Studies in Science
Physics

How to Cite

Mehmet Abdurrahman Korkmaz (Yüksek Lisans Tezi). In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 ve InSiTe3 bileşiklerinin mekaniksel ve elektronik özelliklerinin AB Inİtİo yöntemle incelenmesi, 2019, Aksaray University.

Keywords

License

Tüm Hakları Saklıdır

This work is shared under the specified license terms.

More theses from Aksaray University