InGaAs epitaksiyel tabakaların optik ve elektriksel karakterizasyonu

InGaAs alaşımı büyütme süreçlerinde In alaşım kompozisyonunun kontrollü olarak değiştirilmesi ile bant aralığı yaklaşık 0,75eV olarak ayarlanarak, kırmızı ötesi (IR) bölgede çalışan dedektörlerde kullanılan bir yarıiletken malzemedir. Oda sıcaklığında bant aralığı 1,65 µm dalgaboyu civarına karşılık gelmekte olup, bu dalgaboyu civarında ışıma yapan optoelektronik aygıt olarak kullanılma potansiyeli bulunmaktadır. Bu çalışmada, Metal Organik Buhar Faz Epitaksisi (Metal Organic Vapour Phase Epitaxy¸ MOVPE) yöntemi kullanılarak yarı yalıtkan InP üzerinde büyütülen, farklı kalınlık ve taşıyıcı konsantrasyonlarına sahip In0,53GaA0,47As epitaksiyel tabakaların optik ve elektriksel karakterizasyonu yapılarak, bant aralıkları, taşıyıcı konsantrasyonları, taşıyıcı mobiliteleri ve bu parametrelerin sıcaklığa bağlılığı belirlendi. Bu malzemenin sıcaklığa bağlı enerji bant aralığı¸ 33 K ve 300 K aralığında¸ fotolüminesans (Photoluminescence¸ PL) yöntemi kullanılarak incelendi ve sıcaklığa bağlı taşıyıcı konsantrasyonu ve taşıyıcı mobilitesi¸ 77 K ve 300 K aralığında Hall olayı yöntemi kullanarak belirlendi. İncelenen yapılar n-tipi olup, farklı taşıyıcı konsantrasyonlarına sahip oldukları için¸ bant aralığında farklı taşıyıcı konsantrasyonu olması durumunda¸ oluşacak bant aralığı daralması veya bant kuyruğu oluşumu gibi etkilerin de varlığı incelenmiştir.