Organik tabanlı fotodiyotların hazırlanması ve aydınlatma altında optoelektronik özelliklerinin incelenmesi

Yapılan bu çalışmada, spin kaplama yöntemi kullanılarak n-tipi Si altlık üzerine BOD-Pyr organik malzemesi ince film olarak büyütülmüştür. Üretilen Au/BOD-Pyr/n-Si/In Schottky diyotunun oda sıcaklığında, karanlıkta ve aydınlatma altında I-V ölçümleri alınarak ana elektriksel karakteristikleri ve Cheung&Cheung metodundan yararlanılarak seri direnç değerleri incelenmiştir. Yapılan incelemeler sonucunda karanlık ve 100 mW/cm2 aydınlatma şiddeti altında idealite faktörü ve engel yüksekliği sırasıyla, 2,84 ve 0,751eV, 1,55 ve 0,871eV bulunmuştur. Aydınlatma şiddetindeki artışın idealite faktöründe azalmaya, engel yükseliğinde ise artışa sebep olmaktadır. Seri direnç değerleri ise karanlık ve 100 mW/cm2 aydınlatma şiddeti altında sırsıyla 5019 Ω ve 2671 Ω olarak bulunmuştur. Son olarak diyotun 100 mW/cm2 aydınlatma şiddeti altında açık devre voltajı ve kısa devre akımı değerleri 0,26 V ve 0,017 mA bulunmuştur. Bulduğumuz bu sonuçlar dikkate alındığında üretmiş olduğumuz Au/BOD-Pyr/n-Si/In Schottky diyotunun ışığa duyarlı olup fotovoltaik davranış gösterdiği görülmüştür.