Ulaştırma dağılım katsayısına dayalı dağılım rejim haritasının gözden geçirilmesi

Rastgele dağılmış parçacıklardan oluşan ortamlarda ışın geçişi, çeşitli bilimsel ve mühendislik uygulamalarında yaygın olarak bulunmaktadır. Bu tür sistemleri analiz etmek için genellikle bağımsız saçılma varsayımı kullanılır; burada sistemlerin ışın özellikleri, bireysel parçacıkların ışın özelliklerinin üst üste bindirilmesiyle elde edilir. Bu varsayımın geçerliliği için bir kriter, parçacıkların seyrek bir şekilde dağıtılmış olmasıdır. Eğer durum böyle değilse, bağımlı saçılma için özellik tahmini daha kesin bir analiz gerektirir. Tarih boyunca, araştırmacılar, bağımsız saçılma varsayımının geçerli olup olmadığını belirlemek için kullanılan rejim haritaları oluşturmuşlardır. Ancak, literatürdeki son deneyler, iyi belirlenmiş rejim haritasının eksikliklere sahip olabileceğini ve belirli durumların bağımsız saçılma varsayımının geçerliliği içinde olduğunu tahmin ettiğini göstermiştir, ancak aslında değildir. Bu çalışmada, parçacık yansıma indisinin etkisi göz önünde bulundurularak yeni bir rejim haritası aranmaktadır. Çalışma, bağımlı saçılmayı hesaba katan statik yapı faktörünü kullanarak sayısal simülasyonlarla kurulmuştur. Yakın geçmişteki çalışmalarda koherent ve koher olmayan katsayılar göz ardı edilmiştir, bu da demarkasyon çizgisinin konumunun ve yansıma indisinin etkisinin yanlış yorumlanmasına yol açmıştır. Bu çalışma, bağımsız ve bağımlı saçılma arasındaki geçişi tanımlamak için tek bir özgün karakteristik olarak taşıma saçılma katsayısını kullanır. Çünkü taşıma saçılma katsayısının, saçılma katsayısı ve asimetrilik parametresinin aksine yansımayla iyi bir şekilde ilişkili olduğu kanıtlanmıştır. Bu çalışma, sıkı bir ortamda ilerleyen elektromanyetik dalgaların saçılmasını temsil eden koher olmayan bileşen dikkate alınarak deneysel olarak doğrulanmış bir yönteme dayanan T-matris yöntemi ile doğrulanmıştır.