SiC katkılı MgB2 süperiletkeninin yapısal ve manyetik özellikleri

Bu çalışmada Katıhal Tepkime Yöntemi kullanılarak MgB2 süperiletkenine %5, %10 ve %20 oranlarında SiC katkılaması yapılarak, katkısız ve katkılı olmak üzere dört tane MgB2 numunesi üretildi. Homojen bir yapı elde edebilmek için numuneler 8bar'lık Ar gazı basıncında iki kez ısıl işleme tabi tutuldu. Ayrıca numunelerde meydana gelebilecek iç gerilmeyi engelleyebilmek ve yeterli derecede kristalleşmenin oluşabilmesi için ısıl işlem sonrası soğuma süreci düşük hızda gerçekleştirildi. Üretilen bu numunelerin yapısal ve manyetik özellikleri XRD analizi, yoğunluk ölçüm düzeneği, taramalı elektron mikroskobu ve PPMS sistemi kullanılarak yapıldı.Yapılan ölçüm sonuçlarından SiC katkısının MgB2 süperiletkeninin kritik akım yoğunluğunda artışa, az da olsa kritik sıcaklık değerinde düşüşe sebep olduğu görüldü. %5 SiC katkısının en iyi katkılama oranı olduğu anlaşıldı.