X-band low phase noise mmic vco & high power mmic spdt design

Düşük faz gürültülü osilatörler resonatör devresinin bant genişliği ile karşılaştırıldığında genellikle daha dar bir banda sahiptirler. Doğru bir topoloji ve uygun devre elemanları ile bu sorun çözülebilmektedir. Galyum Arsenit (GaAs) temelli HBT' nin base ucuna bir bobin eklenerek elde edilen yapı ile uygun bir resonans devresi sayesinde bant genişliğini kısıtlayan devre elemanlarının etkisi en aza indirilebilmektedir. Bu yapı ile tasarlanan VCO ile 8.8-11.4 GHz aralığında 9-13 dBm çıkış gücünde, 1 MHz ofsette -117 dBc/Hz faz gürültüsü elde edilmiştir. Tezin ikinci kısmı ise Single Pole Double Throw (SPDT) RF anahtar tasarımından oluşmaktadır. Mesa dirençlerinden SPDT üretimine kadar tüm işlemler Bilkent Üniversitesi NANOTAM' da Silikon Karbid (SiC) üzerine Galyum Nitrat (GaN) işlemi kullanılarak üretilmiştir. Öncelikle anahtarlama transistörleri üretilerek SPDT tasarımı yapabilmek için model çıkarılmıştır. Bu model ile üretilen anahtar yapıları DC-12 GHz aralığında 1.4 dB' den az araya girme kaybı (IL), -20 dB' den iyi yalıtım ve en kötü durumda 14.5 dB geriye dönüş kaybı ile çalışabilmektedir. Ayrıca 10 GHz' de sürekli sinyal altında 0.2 dB' den az kompresyon ile 40 dBm' lik çıkış verebilmektedir.