Elektromanyetik Alanlar ve Mikrodalga Tekniği Anabilim Dalı
Eskişehir Technical Üniversity2
Arşivlenen Tez
0
DOI Atanmış
0%
DOI Oranı
Anabilim Dalı
Uydudan küresel konumlama sistemleri alıcıları için karıştırmaya dayanaklı ön-uç elektroniği ve anten tasarımı
Uydudan küresel konumlama sistemi(UKKS) birçok uygulamayı kapsamıştır ve birçok sistemin ayrılmaz parçası olmuştur. UKKS sinyalleri yeryüzünde çok zayıftır ve UKKS uygulama bandında gürültü seviyesinin altındadır. UKKS sinyalleri kasıtlı veya kasıtlı olmayan karıştırmaya karşı çok savunmasız olduğu için, UKKS'nin bu özelliği kullanıcı üzerinde büyük bir dezavantaj olarak kendini gösterir. Karıştırma UKKS servis hizmetinin kaybedilmesine ya da aldatmak olarak tabir edilen yanlış ya da hatalı konumlamaya neden olabilir. Karıştırma koşulları altında UKKS sinyallerinin kaybı, geçmişte ciddi sistem hatalarına neden olmuştur. Karıştırma etkilerini ortadan kaldırmak için, kompleks alıcı mimarilerden, ek uyduları ve frekans bantlarını modülasyon ve şifreleme teknikleriyle bir araya getiren uydu servislerinin yeniden tasarımına kadar uzanan ciddi araştırmalar yapılmıştır. Bu çalışmada, eski veya mevcut UKKS alıcısını değiştirmeden UKKS karışması için ön uç çözümleri öneriyoruz. Çoğu karıştırmaya karşı çözümler, alıcı tarafında, mevcut alıcıları kullanışsız hale getiren önemli donanım ve / veya yazılım değişikliği gerektirir. Kullanıcı tarafındaki çoğu UKKS uygulaması karasal temellidir ve karıştırma sinyalinin düşük yatay açılarından kaynaklandığı varsayılabilir. Önerilen çözüm, antenin iki çalışma modu olan tek ve dizi antenini kullanarak geniş ışıma genişliğinden dar ışıma genişliğe elektronik olarak değiştirilmesiyle düşük yatay açı kaynaklı sinyallere karşı dayanıklılık sağlıyor. Bu modlar arasındaki seçim, RF ön ucunda elektronik olarak gerçekleştirilir. Bu çalışmada UKKS için karıştırmaya dayanıklı bir sistem geliştirilmiştir. İlk olarak, yeni sınıf antenler, tek bir beslemeyle ve kuplör kullanılmadan tüm UKKS bant genişliğini kapsayacak şekilde tasarlanmıştır. Olası sekiz anten tasarımı arasından biri bu uygulama için seçilmiştir ve saha testlerinde kullanılmıştır. Düşük gürültülü yükselticiler, filtreler, kuplörler, zayıflatıcılar ve sinyal algılama döngüsü içeren RF ön uç tasarımı, prototip haline getirilmiş ve test edilmiştir. Sinyal zarfının algılanması ve işlenmesi kısmen, sinyal gücünün ve elektronik anahtar kontrolünün daha hassas bir ölçümünü mümkün kılan bir mikro kontrolör yardımıyla gerçekleştirilmiştir. KKS için saha denemeleri dışarı taşınmıştır ve önerilen sistem, karıştırma koşulları altında üstün performans için doğrulanmıştır.
Investigation of novel memristor-memtransistor devices for potential neuromorphic computing applications via alternative synthesis routes
As the need for faster and more efficient data processing grows particularly with the rise of artificial intelligence (AI) applications conventional Von Neumann architectures face fundamental limitations due to the separation of memory and processing units. Memristors and memtransistors offer a promising alternative by enabling unified memory-computation architectures and emulating key features of biological synapses, making them strong candidates for neuromorphic computing. In this context, two-dimensional (2D) materials, such as transition metal dichalcogenides (TMDs), stand out for their atomic thickness, electrostatic tunability, and defect engineering flexibility, all of which are critical for implementing low-power, high density, and scalable memristive devices. However, challenges remain in achieving stable and reproducible switching behavior, largely due to defect-driven mechanisms such as ion migration, phase transitions, and filamentary conduction. This thesis explores two experimental strategies to address these challenges using alternative fabrication methods. First, memtransistor structures based on monolayer MoS₂ were fabricated via chemical vapor deposition (CVD), and the effect of channel length on synaptic behavior and electrical performance was systematically investigated. The findings highlight how device geometry influences neuromorphic functionalities. Second, a novel fabrication route was developed for titanium-based memristors using plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD). While full MXene formation is still under study, the resulting crystalline TiC phase was successfully integrated into a vertical memristor structure, exhibiting reliable resistive switching and short-term synaptic plasticity. Together, these results demonstrate the potential of 2D-material-based memristive systems for neuromorphic computing and provide insight into tunable, scalable, and CMOS-compatible fabrication routes.