AlGaN/GaN temelli yüksek elektron hareketlilikli transistörlerin (HEMT) elektron ve manyeto iletim özellikleri

Bu çalışmada AlGaN/GaN ve AlGaN/AlN/GaN/AlN yapısına sahip 6 numunenin elektron iletim ve manyeto iletim özellikleri incelendi. Özdirençleri 22 ? 350 K sıcaklığı arasında, Hall hareketliliği ve Hall taşıyıcı yoğunlukları aynı sıcaklık aralıklarında 0 ? 1,5 T manyetik alan altında ölçülmüştür. Manyeto iletim sonuçları, Nicel Hareketlilik Spektrumu Analizi (QMSA) yöntemi kullanılarak analiz edilmiş ve numunelerdeki 2-boyutlu ve 3-boyutlu iletim mekanizmaları birbirlerinden ayrıştırılmıştır. Hall ölçüm sonuçları ve QMSA ile ayrıştırılmış 2-boyutlu iletim mekanizmasına ait sonuçlar ayrı ayrı saçılma analizlerinde ve katmanlar arası gerginlik hesabında kullanılmış, aralarındaki fark irdelenmiştir. Yapılan analizlerle, 2-boyutlu iletimin gerçekleştiği kuvantum kuyusunun genişliği, iletimin gerçekleştiği arayüzeyin bozukluğu ve gerginlikleri hesaplanmıştır. Yapısal özelliklere ait bu parametrelerin başarılı tayini, ileride elektriksel özellikleri daha iyi numunelerin üretilmesine yol gösterecektir.