AlxGa1-xAs/GaAs kuantum kuyulu fotodedektör yapılarının üretimesi ve fiziksel özelliklerinin belirlenmesi

Bu çalışmada, iki adet AlxGa1-xAs/GaAs (x=0.20, 0.22) kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektör yapısı ve bir adet AlGaAs/GaAs kalibrasyon numunesi moleküler demet epitaksi (MBE) yöntemiyle büyütülmüştür. AlGaAs/GaAs materyal sistemleri mükemmel örgü uyumları ve MBE yöntemiyle de yüksek kalitede büyütülebildikleri için kızılötesi dedektör teknolojilerinde oldukça geniş bir şekilde kullanılmaktadır. Büyütülen fotodedektörler yüksek çözünürlüklü x-ışınları kırınımı ve fotolüminesans ölçümleriyle yapısal olarak karakterize edilmiş, Hall etkisi ölçümleriyle kalibrasyon numunesinin ve dedektörlerin elektriksel parametreleri bulunmuş ve dedektörlerin fabrikasyonları tamamlandıktan sonra karanlık akım-voltaj karakteristikleri sıcaklığın fonksiyonu olarak elde edilmiştir. Karanlık akım değerleri yüksek sıcaklıkta termi-iyonik emisyon teorisiyle açıklanmıştır. Ölçüm sonucunda, bandtan-sürekli duruma geçişe sahip dedektörün bandtan-banda geçişe sahip dedektöre göre 103 kat daha düşük bir karanlık akıma sahip olduğu görülmüştür.