Au/PVA/n-Si MIS yapıların akım-voltaj (I-V) ölçümlerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

Bu çalışmada, metal-yalıtkan-yarıiletken Au/PVA/n-Si MIS yapının Schottky diyotu üretildi ve bu diyotun 80-400K sıcaklık aralığında farklı sıcaklıklar için akım-voltaj (I-V) ölçümleri alındı. Bu ölçümlerden yararlanarak diyodun idealite faktörü (n), sıfır beslem engel yüksekliği (FB0) , arayüzey durum yoğunluğu (Nss), arayüzey durum yoğunluğu enerjisi (Ess) ve doyum akımı değerleri hesaplandı. I-V ölçümleri -5V ile +5V gerilim aralığında 20 mV adımla yapıldı. Cheung fonksiyonları yardımıyla seri direnç (Rs) hesaplandı. Diyotun idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) sıcaklığa önemli ölçüde bağlı olup, artan sıcaklıkla azalmaktadır. Engel yüksekliğinin de artan sıcaklıkla arttığı belirlendi.Anahtar Kelimeler:Schottky diyot, idealite faktörü, arayüzey durum yoğunluğu, seri direnç