Ce katkılı ZnO filmlerinin elde edilmesi, fiziksel karakterizasyonu ve aygıt uygulamaları

Bu tez çalışması kapsamında, sol-jel spin kaplama tekniği ile cam ve p-Si alttaşlar üzerinde katkısız ve seryum (Ce) katkılı çinko oksit (ZnO) filmleri elde edilmiştir. p-Si alttaş üzerine elde edilen filmlerde ısıl buharlaştırma yöntemi kullanılarak p-Si/n-ZnO:Ce heteroeklem diyotları oluşturulmuştur. Elde edilen filmlerin X-ışını kırınım desenlerinden filmlerin yapısal parametreleri olan yarı pik genişliği, örgü sabitleri, yapılanma sabiti ve dislokasyon yoğunlukları hesaplanmıştır. Filmlerin geçirgenlik spektrumlarından % geçirgenlik değerleri, absorpsiyon spektrumlarından optik bant aralığı değerleri bulunmuştur. Filmlerin morfolojik özellikleri incelemek için atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanılmış olup, film pürüzlülük değerlerinin ve tanecik boyutunun Ce katkı oranının artmasıyla birlikte azaldığı görülmüştür. Elementel analiz yapılan filmlerde Zn, O ve Ce varlığı doğrulanmıştır. p-Si/n-ZnO:Ce heteroeklem diyotlarının elektriksel karakterizasyonları için akım-voltaj ölçümleri alınmış ve diyot parametreleri (idealite faktörü ve bariyer yüksekliği) hesaplanmıştır. Anahtar Sözcükler: ZnO, Ce, Sol-jel spin kaplama tekniği, Heteroeklem diyot.