Gan yarıiletkeninde kusurlar ve kusurların etkisi: yoğunluk fonksiyoneli teorisi (YFT) hesaplamaları

Bu tezde, boşluk ve katkı atomları içeren zinck- blend GaN yarıiletkenin yapısal ve elektronik özellikleri yoğunluk fonksiyon teorisi (YFT) hesaplamaları yapılarak belirlendi. Boşluk ve katkı konsantrasyonu ile GaN da yasak enerji aralığı ve durum yoğunluğu değişimleri YFT'yi temel alan CASTEP paket programı kullanılarak hesaplandı. Simülasyonlarda Perdew, Burke ve Ernzerhof (PBE) tarafından verilen Exchange (değiş tokuş) korelasyon fonksiyonları genelleştirilmiş eğim yaklaşımı (GEY) kullanıldı. Elektron-iyon etkileşmeleri için ultrasoft sözde potansiyel seçildi. Simülasyonlar sonuçunda boşluk, Mg ve Ge safsızlıkları atomları için yasak enerji aralığının değiştiği görüldü. Diğer taraftan Mg ve Ge konsantrasyonları için yasak enerji aralığı ve örgü parametresinin değişimlerini tanımlayan bowing parametreleri elde edildi.