III-V grubu bileşiklerin elektrik / elektronik özelliklerine dislokasyonların elastik zorlanma enerjisinin etkisinin incelenmesi

Bu çalışmada. n-GaAs(l 00) düzlemine salıip yarı iletken taban kullanıldı ve 300 K de yüzey üzerine farklı indentasyonlar uygulanarak 60° dislokasyonlar oluşturuldu. İlk olarak, n-GaAs(100) yan iletken taban 1 ; HN03. 2 ; H20 çözeltisinde 20 °C de 15 dakika kimyasal olarak dağlandı. Optik ve elektron mikroskopik incelemeden dislokasyon yoğunluğu 5xl09 nr2 olarak bulundu. 100 gr, 200 gr ve 300 gr indentasyon uygulandıktan sonra dislokasyon yoğunlukları sırasıyla 8.15xl014 m-2, 32.89xl014 m-2, 74.21xl014 m"2 bulundu. İndentasyon ile oluşturulan 60° dislokasyonun birim uzunluğu başına enerjisi bilgisayar programı kullanılarak 84 mJ/m2 olarak hesaplandı. Indentasyonlu ve indentasyonsuz n-GaAs(100) yüzeyleri üzerine metal yan iletken kontaklar yapıldı, indentasyon ve 60° dislokasyonların etkisini belirlemek için 300 K ve 77 K sıcaklıklarında I-V ve C-V karakteristikleri incelendi İndentasyonsuz numunede engel yüksekliği, tyBa ; difözyon potansiyeli }Vd ; taşıyıcı yoğunluğu, Nd ; fazlalık kapasitesi " C0 ; Schottky diyod seri direnci " R ; idealite faktörü n sırasıyla0.68eV, 0.8 eV, 2.25x1ü23 nr3, llOpF, 22.3 ohm, 1.119 olarak bulundu. Indentasyonlu metal-yarı iletken kontaklar için I-V ve C-V karakteristiklerinden 300 K de ({^, Vd, Nd. C0. R, n değerleri sırasıyla 0.70-0.95 eV. 0.92-1.25 eV » 2.19x1023 -1.92xl023 m'3, 230-295 pF, 47-101 ohm, 1.3-2.38 olarak ve 77 K de ise «^, Vd. Nd. C0 değerleri sırasıyla 0.90-1. 15 eV, 1.05-1.32 eV, 1.86xl022 -1.39X1022 m'3, 240-340 pF olarak bulundu. Bu sonuçlardan, indentasyon oranı arttıkça <^, Vd, C0, R ve n değerlerinin arttığı ve Nd hin azaldığı görüldü. I-V ve C-V karakteristiklerinde dislokasyon yoğunluklan ve indentasyon oranı ile ilişkili histeresizler gözlendi. Ayrıca artan dislokasyon yoğunluğu ve indentasyon oranı ile yarı iletkenin fermi düzeyi üzerindeki enerji aralığında bir artışm olduğu belirlendi ANAHTAR KELİMELER : Dislokasyon, Schottky kontak, m - V grubu bileşik. GaAs, Metal-yarı iletken kontak Engel yüksekliği.indentasyon