InSe' nin elektrokimyasal olarak büyütülmesi ve karakterizasyonu

Bu çalışmada, deiyonize su (DI) çözücüsü içinde indiyum (III) sülfat hidrat (In2(SO4)3xH2O) ve selenyum dioksit (SeO2) tuzları kullanılarak ITO üzerine elektrokimyasal büyütme tekniğiyle InSe ince filmleri büyütülmüştür. Büyütme parametrelerinden pH; 2-3 aralığında, büyütme potansiyeli; -0,600 V ile -0,730 V aralığında ve sıcaklık ise; 30 °C ile 90 ºC aralığında değiştirilerek optimum film karakteristikleri elde edilmeye çalışılmıştır. Yapısal ve optiksel anlamda en kaliteli ince film InSe bileşiklerin bir saatlik büyütme süresi için, DI çözücüsünde 85 °C sıcaklık değerinde, 2.10-3 M indiyum (III) sülfat hidrat (In2(SO4)xH2O) ve 1.10-3 M selenyum dioksit (SeO2) bileşiği kullanılarak, -0,730 V katodik potansiyelde ve çözelti pH'sının 2 olduğu durumda büyütüldüğü görülmüştür. X-Işını kırınım (XRD) desenlerinden elde edilen filmlerin polikristal yapıda oldukları ve (110) tercihli yönelimlere sahip oldukları gözlemlenmiştir. Soğurma ölçümlerinden, optimum yapısal özellikler sergileyen InSe ince filmlerin yasak enerji aralıklarının 2,12 eV civarında olduğu hesaplanmıştır. Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) yardımıyla büyütülen InSe filmlerinin yüzey yapısının incelemesiyle ortalama pürüzlülük değerinin 172,08 nm civarında olduğu belirlenmiştir.