Sıçratma tekniği ile büyütülen zirkonyum dioksit ince filmlerin mikro yapılarının incelenmesi

Bu tezde, farklı kalınlıklara (400 nm, 500 nm, 600 nm) sahip ZrO2 ince filmler, Reaktif RF Magnetron Sıçratma tekniği kullanılarak, n tipi yarıiletken (100) yönelimli Silisyum alt yapı üzerine 200 oC'lik altyapı sıcaklığında, 125 W'lık güç değeri ile büyütüldü. Büyütülen ince filmlerin mikro yapı analizleri Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ile yapıldı. Numunelerin yapısını oluşturan büyük boyutlu yapıların ve topakların daha küçük tanelerin istiflenmesi ile meydana geldiği, film kalınlığının artmasıyla tane boyutlarının değiştiği görüldü. Numunelerin kimyasal kompozisyonunu belirlemek amacıyla Enerji-Ayırımlı X-Işını Analizi (EDX) dedektörü kullanılarak alınan sonuçlara bakıldığında filmin başarılı bir şekilde büyütüldüğü görüldü. ZrO2 ince film numunelerinin kristal yapı analizi, X-Işını Kırınım (XRD) tekniği kullanılarak incelendi. ZrO2-1 ve ZrO2-2 numunesinin kristal yapısının monoklinik, ZrO2-3 numunesinin ise baskın monoklinik faz ile beraber tetragonal faz gösterdiği belirlendi. Ayrıca numunelerin elektriksel özelliklerinin incelenmesi amacıyla alınan I-V ölçümlerine göre her üç numunenin idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği (?b) değerleri hesaplandı ve her üç numunenin de doğrultucu kontak (Schottky diyot) özelliği gösterdiği görüldü. Anahtar Kelimeler: ZrO2 ince filmler, Reaktif RF Sıçratma, Mikro yapı, Elektron mikroskopisi