Doğrusal olmayan modelleme yöntemiyle 500MHz-2GHZ geniş bantlı güç yükselteç tasarımı

Bu tez 500MHz-2GHz genis bantlı RF güç yükseltecin tasarım yöntemlerinigöstermektedir. ?lk olarak, RF güç transistör teknolojileri arastırıldı ve içlerindençalısma bandına, en yüksek çıkıs gücüne, verimliliğine ve fiyatına göre en uygunolanı seçildi. Güç yükselteç iki asama olacak sekilde tasarlandı ve bu iki asamadada RF güç transistörü olarak LDMOS teknolojisi kullanıldı. Benzetimde LDMOSelemanları için yüksek sinyal modelleri kullanıldı ve ölçüm sonuçlarına görebenzetimdeki devre doğrusal olmayan durumda modellenmeye çalısıldı. ?stenenbantta yüksek doğru akım yalıtımı ve düsük RF kaybı elde edebilmek için yeni birteknik ile genis bantlı RF yüksek frekans söndürme bobini yapısı gelistirildi. Bütünbanttaki gereksinimleri sağlamak için giris ve çıkıs uyumlama devreleri ve paralelgeri besleme yapısı kullanıldı. 500MHz-2GHz bandının büyük bir kısmında, tipikdeğerler olarak 20dB güç kazancı ve 37dBm çıkıs gücü elde edildi.