Al/Congo Red/P-Tipi Si yarıiletken diyotlarının elektronik ve arayüzey özellikleri üzerine gama ışınlamasının etkisi

Bu çalışmada katıhal devre elemanları ve malzemeler üzerindeki ışınlama etkilerinin araştırılması, pek çok bilim insanı ve farklı ülkelerin uzay ajansları konuyla ilgili çalıştıkları için ilgi çekmektedir. Bir foton veya parçacık radyasyonu katıhal devre elemanlarına ve malzemelere uygulanırsa, sert bir bozulma ortaya çıkacaktır. Bu ışınlama prosedürü aşamasında, yarıiletken aygıtlar üzerinde kalıcı veya geçici bozulma durumu oluşabilecektir. Bu tez çalışmasında, MIS diyotun fabrikasyonu için p-tipi Silisyum yarıiletken alttaşlar kullanılmıştır. Kimyasal temizlik aşamasından sonra, Al/Congo Red (CR)/p-Si MIS diyot yapısı omik arka kontak ve Al üst kontağın metalizasyonu ile üretilmiştir. Si alttaşlar üzerinde organik CR ince filmi %0.2 lik etanol çözeltisi içeren congo red çözeltisinin kaplanmasıyla yapılmıştır. Al/CR/p Si MIS kontak üzerinde ışınlama etkisini araştırmak için, Co-60 γ- ışınlamasından önce ve sonra Akım Voltaj (IV) ve Kapasite-Gerilim (CV) ölçümleri alındı. I-V verilerinden geleneksel LnI-V karakteristikleri, Cheung fonksiyonları ve Norde fonksiyonları kullanılarak, idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) hesaplandı. Ayrıca, Al/CR/p-Si MIS kontağın arayüzey durum yoğunluğu (Nss) da hasaplandı. Aygıtın C-V ölçümlerinden difüzyon potansiyeli (Vd), engel yüksekliği (Φb) ve akseptör yük konsanstrasyonu (Na) değerleri hesaplandı.