Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diyotunun farklı aydınlatma şiddetleri altında elektriksel parametrelerinin araştırılması

Bu çalışmada, BOD-Z-EN organik bileşiği spin kaplama yöntemi ile n tipi Si altlık üzerine ince film olarak büyütülmüştür. Sonuç olarak Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diyotu üretilmiş ve diyotun ana elektriksel karakteristikleri oda sıcaklığında, karanlıkta ve farklı aydınlatma şiddetleri altında I-V ölçümleri kullanılarak incelenmiştir. İdealite faktörü (n) değerleri karanlık ve 100 mW/cm2 için sırasıyla 2,33 ve 1,55 bulunmuştur. Engel yüksekliği (ɸ𝑏) değerleri karanlık ve 100 mW/cm2 için sırasıyla 0,86 eV ve 0,90 eV bulunmuştur. Artan aydınlatma şiddeti ile birlikte idealite faktörü değerinin azaldığı, engel yüksekliği değerinin arttığı görülmüştür. Ek olarak, seri direnç (Rs) değerleri Cheung&Cheung metodu kullanılarak belirlenmiştir. Seri direnç değerleri karanlık ve 100 mW/cm2 için sırasıyla 5850 Ω ve 2375 Ω olarak bulunmuştur. Au/BOD-Z-EN/n-Si/In diyotunun açık devre voltajı (Voc) ve kısa devre akımı (Isc) değerleri 100 mW/cm2 aydınlatma şiddeti için sırasıyla 0,15 V ve 10,71 mA bulunmuştur. Sonuçlar incelendikten sonra elde etmiş olduğumuz Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diyotunun ışığa karşı duyarlı olduğu ve fotovoltaik özellik gösterdiği görülmüştür.