A first-principles study of defects and adatoms on silicon carbide honeycomb structures

Çalışmamda kısmi bir (nanoşerit) ve iki boyutlu bal peteği SiC malzemesini ilk prensiplerden başlayarak inceledim. Boyutsallık etkilerini takip için üç boyutlu SiC allotroplarından bazılarını ve gerçek bir boyutlu SiC zincirlerini çalışmama dahil ettim. Değişik boyutlardaki SiC malzemesinin kararlılığı, fonon hesaplarıyla tahlil edilmiştir. İki boyutlu bal peteği şeklindeki SiC ve nanoşeritleri iyonik, manyetik olmayan, geniş bant aralıklı yarı-iletkenlerdir. Öz enerji (GWo) hesaplarıyla bu bant aralığı artmıştır. Hidrojen atomları ile doyurulduğunda, "armchair" SiC nanoşeritlerin yanlarındaki atomlardan oluşan bantlar kaybolmakta ve bant aralığı artmaktadır. Atom boşluğu, soğurulan yabancı atomlar ve Si ya da C atomlarının yerini alan yabancı atomların iki boyutlu ve nanoşerit SiC üzerindeki etkileri araştırılmıştır. Bu araştırılan etkilerden bazılarının tek katmanlı SiC malzemesini işlevlendirebileceği saptanmıştır.