BaNiSn3 yapıda merkezi simetrik olmayan caırsi3 malzemesinin fiziksel özelliklerinin ilk-prensip yöntemi ile incelenmesi

Hacim Merkezli Tetragonal yapıda CaIrSi3 malzemesi için elektronik, titreşim ve elektron-fonon etkileşim özelliklerini ab-initio yöntemiyle inceledik. İnceleme için Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi, Lineer tepki metodu ve düzlem-dalga sözde potansiyel metodunu kullandık. Bu malzeme için elektronik yapı ve fonon dağılım ilişkisi spin-orbit etkileşimli ve spin-orbit etkileşimsiz olarak ayrı ayrı incelendi. Çalışmalarımız göstermiştir ki Si kaynaklı fonon modları Si 3p durumlarının Fermi seviyesi yakınlarında yoğun miktarda varlığı nedeniyle elektron saçılmasında diğer fonon modlarından daha etkindir. Eliashberg spektral fonksiyonu integralini alarak ortalama elektron-fonon etkileşim parametresi (λ) 0,58 olarak hesapladık. Bulduğumuz sonuç deneysel değer olan 0,56 ile çok uyumludur. Hesaplanmış λ etkileşim parametresini kullanarak CaIrSi3 için süperiletkenliğe geçiş sıcaklığı (T_c ) 3,20 K olarak hesaplandı. Bu değer deneysel sonuç olan 3,55 K ile uyum içerisinde olduğu görüldü. Aynı zamanda elektron-fonon etkileşim parametresi (λ) ve süperiletkenliğe geçiş sıcaklığı (T_c ) için spin-orbit etkileşiminin önemsiz olduğu gösterildi.