Bazı bileşiklerin elektronik ve titreşim özelliklerinin yoğunluk fonksiyonel teorisi ile incelenmesi

Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ve ab-initio pseudo potansiyel metodu ile LaAs ve LaP bileşikleri için NaCl ve CsCl yapıda, LaN ve LaSb bileşikleri için de sadece NaCl yapıda Genelleştirilmiş Gradient Yaklaşımı (GGY) kullanılarak yapısal, elektronik ve titreşimsel özellikleri araştırıldı. Bu altı bileşik için hesaplanan örgü sabiti değerlerinin, mevcut deneysel ve diğer teorik sonuçlarla uyumlu olduğu gözlendi. Hesaplanan örgü sabitleri ve bant yapısı kullanılarak Yoğunluk Fonksiyonel Pertürbasyon Teorisi üzerine kurulu lineer tepki yaklaşımında fonon frekansları hesaplandı. LaSb bileşiğinin de hesaplanan fonon spektrumunun mevcut deneysel değerlerle uyum içerisinde olduğu görüldü. LaAs ve LaP bileşiklerinin CsCl yapısında ve LaN bileşiğinin NaCl yapısında hesaplanan fonon frekansları kararsız çıktı. Anahtar Kelimeler : LaP, LaAs, LaN, LaSb, Yoğunluk fonksiyonel teorisi, Elektronik yapı, Fononlar