Bazı kristallerin inelastik diferansiyel saçılma tesir kesitlerinin enerji ayrımlı X-ışını spektrometresi ile ölçümü

Bu çalışmada; 59,54 keV'lik foton yayımlayan noktasal 241Am radyoizotop kaynağı kullanılarak Si ve GaAs yarıiletkenlerin inelastik diferansiyel saçılma tesir kesitleri 130, 135, 140, 145 ve 150 derecelik açılarda ölçüldü. Dedektör verimini tayin etmek için Pd, In, Sm, Gd, Dy ve Ho elementleri kullanıldı. Ölçümlerde rezülasyonu 5,96 keV'de 160 eV olan yarıiletken Si(Li) dedektör kullanıldı. Bu ölçümler incelenerek kimyasal etki ve kalınlığın diferansiyel tesir kesitlerine etkileri araştırıldı. Ölçülen değerler teorik değerlerle karşılaştırıldı. Si kristalinin diferensiyel saçılma tesir kesitlerinin teorik değerle uyumlu çıktığı, GaAs kristali için ise teorik ve deneysel değerler arasında önemli farklılıklar olduğu gözlendi ve sebepleri tartışıldı.Anahtar Kelimeler: GaAs, Si, Kristal Yapı, Compton Saçılması