BOD-Z-EN organik arayüzey tabakalı Schottky diyotların üretimi ve kapasite-iletkenlik-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi

Bu tez çalışmasında BOD-Z-EN organik bileşiği uygun yöntemlerle sentezlenmiş ve BOD-Z-EN arayüzey tabakalı Au/BOD-Z-EN/n-Si/In schottky diyotu elde edilmiştir. Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diyotunun frekansa bağlı kapasitans-frekans (C-f), kondüktans-frekans (G-f) ölçümleri yapılmıştır. Bu ölçümleri sonucunda; voltaj değeri arttıkça kapasite (C) ve kondüktans (G) değerinin de arttığı, artan frekans değeriyle birlikte ise kapasite değerinin azaldığı ve kondüktans değerinin arttığı belirlenmiştir. Frekans değerinin artmasıyla seri direnç (Rs) değerinin azaldığı hesaplanmış; düzeltilmiş kapasite ve kondüktans değerlerinin ise seri dirençten önemli ölçüde etkilendiği alınan ölçüm sonuçları karşılaştırılarak belirlenmiştir. Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diyotunun arayüzey durumlarının varlığı kapasitans spestroskopisi yöntemiyle belirlenmiştir. Empedans spektroskopisi yöntemiyle elde edilen sonuçlara göre ise frekans değeri arttıkça empedans değerlerinin azaldığı görülmüştür. Dielektrik hesaplamalarda elde edilen sonuçlarda frekans değerinin artmasıyla ɛ' ɛ'' ve tan δ değerlerinin azaldığı belirlenmiştir. Tüm bu sonuçlar Au/BOD-Z-EN/n-Si/In Schottky diyotunun bir MOS tipi kapasitör gibi davrandığını ve enerji depolayabilen bir aygıt olabileceğini göstermektedir. BOD-Z-EN gibi BODIPY tabanlı bileşiklerin elektronik ve optoelektronik gibi aygıt uygulamalarında arayüzey tabakası olarak kullanılabileceği bu tez çalışmasında gösterilmiştir.