Çinko oksit (ZnO) tabanlı ultraviyole (UV) ışık yayan diyotların elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

Bu çalışmada n-ZnO/p-GaN ışık yayan diyotun (LED) fabrikasyonu gerçekleştirilmiştir. Diyotun optik ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. p- tipi yarıiletken elde etmek amacıyla magnezyum (Mg) katkılı GaN filmleri Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD) tekniği ile safir (Al2O3) alttaş üzerinde büyütülmüştür. n- tipi yarıiletken malzeme oluşturmak için katkısız ZnO ince filmler kullanılmıştır. Alttaş üzerine Saçtırma Tekniği (Sputter) kullanılarak p-n eklemi elde edilmiştir. p- tipi GaN ve n- tipi ZnO katmanlar üzerine ışık LED yapımını tamamlamak için altın (Au) kontaklar yapılmıştır. Çalışma kapsamında, X-ışınları kırınımı (XRD), ZnO filminin fotolüminesans (PL) eğrilerinin tespiti, atomik kuvvet mikroskobu (AFM) görüntüleri, LED'in elektrolüminesans (EL) ve akım-voltaj (I-V) analizleri yapılmıştır. Anahtar kelimeler: LED, MOCVD, Saçtırma Tekniği (Sputter), ZnO.