A fully integrated K-band power ampli ? er design using digital 0.18 µm CMOS technology

K-Band frekanslarındaki (Elektromanyetik spektrumun IEEE tarafından 18 GHzile 27 GHz arasında tanımlanmış kısmı) K-Band uydu haberleşme, kısa menzilliaraç radarı, noktadan noktaya radyo gibi uygulamalar düşük maliyetli, çevredostu RF bloklarına olan ihtiyacı da beraberinde getirmektedir. Bunlar arasında,en zahmetli olanlardan birisi güç yükselteci tasarımıdır. Bu çalışmada, 0.18 µmdijital CMOS teknolojisi kullanılarak tasarlanmış ve üretilmiş üç katlı bir güçyükselteci mevcuttur. Tasarım ve simülasyonlar üreticiden alınmış modellerüzerine kuruludur. Üretilen çip, +16.9 dBm lineer çıkış gücü ve P1dB noktasında,20 GHz'de %12.3'lük bir verim göstermektedir.