İyonize radyasyonun Yb2O3 yük tutucu katmanalı bellek tabanlı aygıt üzerindeki etkisi

Bu tezde tavlama sıcaklığı ve gama ışınlamasının Al/Al2O3/Yb2O3/Al2O3/n-Si yük yakalama belleği (CTM) cihazları üzerindeki etkisini inceledik. Al2O3 oksit, sırasıyla tünel açma oksit ve bloke edici oksit olarak kullanılırken, Yb2O3 yük tutucu oksit olarak kullanıldı.İnce filmler RF püskürtme makinesi ile biriktirildi. Daha sonra numuneler 200oC, 400oC, 600oC ve 800oC'de N2 ortamında 40 dakika tavlanırken, bir numune depolandığı şekilde tutuldu. İnce filmlerin kristallik yapısı ve yüzey morfoloj2ileri, X-ışını kırınımı (XRD) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) teknikleri ile analiz edildi. Ortalama karekök (RMS) değeri, tavlama sıcaklığındaki artışla birlikte yükseldi. Cihazların elektriksel özellikleri de kapasitans-Gerilim(C-V) eğrileri ile analiz edilmiştir. Yığılım bölgesindeki kapasitans değeri, tavlama sıcaklığındaki artışla azalmıştır. -10V-+10V aralığında geriye doğru süpürme gerilimi ile birkaç tavlama sıcaklığında bellek penceresi (∆Vfb ) de incelenmiştir. 200℃'de tavlanan cihaz, diğer cihazlara göre en büyük ∆Vfb8.60V'a ve birikim bölgesinde en yüksek kapasitansa sahipti. Bu, CTM cihazının daha iyi şarj depolama kapasitesi ile ilgili olabilir.Öte yandan, ±8V ve ±10V arasında farklı süpürme voltajındaki ∆Vfb, çeşitli tavlama sıcaklıkları için incelenmiştir. Ayrıca 4 Gy den 128'e Gy kadar doz aralığında Cs-137 gama ışını kaynağı kullanılarak CTM cihazındaki radyasyon yanıtı C-V karakteristikleri üzerinden yoğun bir şekilde incelenmiştir. C-V eğrileri hem pozitif hem de negatif voltaj yönünde hafifçe kaymıştır. Bu, tuzaklanmiş oksit (ΔNot) ve arayüz tuzaklanmiş (ΔNit) yüklerinin ışınlama ile indüklendiğini düşündürmektedir. Radyasyonun bellek penceresi üzerinde önemli bir etkisinin olmadığı da gösterilmiştir. ANAHTAR KELİMELER: CMT cihazları, İnce filmler, PDA, Gama ışınlaması, hafıza penceresi