X-bant bölücü ve bağlaştırıcıların elektromanyetik analizi ve tasarımı

Güç bölücü ve birleştirici yapılar, mikrodalga uygulamalarında yüksek düzeyde güçlere ulaşabilmek için gerekli ve kritik pasif elementlerdir. Son yıllardaki RF/Mikrodalga sistemlerindeki gelişmeler, yüksek kaliteli, yüksek performanslı güç ayırıcı/birleştiricilere olan talebin artmasına neden olmuştur. Bu tez çalışmasında, dört yönlü ofset güç bölücü/birleştirici, iki yönlü halka güç bölücü/birleştirici, üç yönlü faz kaydırmalı Wilkinson güç bölücü/birleştirici ve dört yönlü birleşmiş güç bölücü, minyatürleştirme teknikleri kullanılarak, 8-12 GHz frekans bandında dizayn edilmiştir. Analitik çözümleri ve tasarım prosedürleri Advance Design System (ADS) yazılımı kullanılarak incelenmiştir. Bu bölücü ve birleştirici yapılar Bilkent Üniversitesi Nanoteknoloji Araştırma Merkez'inin (NANOTAM) Silisyum Karbür (SiC) tabanlı Galyum Nitrür (GaN) prosesi kullanılarak üretilmiştir. Fabrikasyon detayları adım adım gösterilmiştir. Tasarlanan bölücü ve birleştirici yapılar, NANOTAM laboratuvarlarında ölçülmüştür. Her güç bölücü/birleştirici yapı için ekleme kayıplarının, giriş ve çıkış geri dönüş kayıplarının ve çıkış portlarının yalıtımının ölçüm ve simülasyon sonuçları incelenmiştir. Ölçüm ve simülasyon sonuçlarının karşılaştırılması detaylı olarak sunulmuştur.