Elektrokimyasal olarak üretilen manyetik nanotellerde manyetoempedans etki

Son zamanlarda manyetoempedans etki (MI) manyetik alan sensorü, kuvvet sensörü, akım sensörü ve biyosensör olarak teknolojide kullanılmaya başlanmıştır. Gelişen teknoloji ile birlikte mümkün olduğu derecede küçük sensörlerin üretimi kaçınılmaz hele gelmiştir. Geliştirilen bazı MI sensörler nanoTesla mertebesinde hassasiyete sahiptirler, fakat genel olarak geliştirilen en küçük MI sensör 2-3 mm boyutundadır. Bu nedenle, bu tezde manyetik nanotellerin manyetoempedans özellikleri çalışılmıştır. Öncelikle NiFe ve ConiFe nanoteller dc elektrokimyasal toplama tekniği ile anodik olarak oksitlenmiş çok yüksek yoğunlukta gözeneklere sahip alumina (AAO) tabanların içinde üretildi. Elektrokimyasal toplanma süresince çözeltinin iyon konsantrasyonu, pH' ı, sıcaklığı ve depozisyon potansiyeli gibi elektrokimyasal banyo parametreleri sabit tutulmuştur. Taramalı ve geçirimli elektron mikroskobu çalışmalarından nanotellerin çaplarının 250-310 nm ve boylarının 25-40 µm olduğu gözlenmiştir. İkinci olarak, nanotel düzenlerinin her iki tarafına elektriksel kontaklar yapılarak, nanotellerin manyetoempedans özellikleri araştırıldı. Bütün MI eğrileri yüksek şekil anizotropisinden dolayı tek pik davranışı göstermiştir. Maksimum MI değişimi, NiFe nanotelleri için 79 MHz sürücü akım frekansında 1.45 % iken, CoNiFe nanoteller için % 2.72 civarında ölçülmüştür. Artan sürücü akım frekansı ile birlikte MI önce artmış, daha sonar keskin bir pik verdikten sonar tekrar azalmıştır. Son olarak tek bir NiFe nanotele odaklanmış iyon demet sistemi (FIB) ile kontak yapılarak, tek bir nanotelin MI özellikleri araştırılmıştır. Düşük frekanslarda MI değişimi % 1' in altında iken 4 GHz' de değişim % 3.5' a yaklaşmıştır ve daha yüksek frekanslarda MI değişimi tekrar azalmıştır.