Farklı oranlarda Pb katkılı cdpbs ince filmlerin büyütülmesi ve karakterizasyonu

Bu tez çalışmasında kimyasal püskürtme yöntemi ile elde edilen, Cd1-xPbxS (0 ≤ x ≤ 0,175) filmlerinin bazı karakteristik özellikleri incelendi. Cd1-xPbxS filmleri, 450 oC altlık sıcaklığında CdCl2, Pb(NO3)2 ve CS(NH2)2 tuzları kullanılarak kimyasal püskürtme yöntemiyle cam altlıklar üzerine üretildi. Cd1-xPbxS filmlerinin, yapısal, optiksel ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Yasak enerji aralık değerleri optik ölçümler yardımıyla 2,38-2,44 eV aralığında bulundu. CdS yapısına farklı yoğunlukta Pb atomları eklenmesiyle, filmlerin yasak enerji aralıklarında azalmalar gözlemlendi. Aynı zamanda yapıdaki Pb oranı arttıkça malzemenin optik şeffaflığı artan x değerlerine bağlı olarak azalma gösterdi. Filmlerin kristal yapıları X ışınları yardımıyla incelendi. XRD sonuçlarından filmlerin hekzagonal yapıda oldukları tespit edildi. Elde edilen ince filmlerin özdirenç değerleri dört nokta yöntemi ile aydınlıkta ve karanlıkta ölçüldü. Işık altında özdirenç değerleri 0,37x106 Ω·cm ile 16,87x106 Ω·cm aralığında, karanlık özdirenç değerleri 0,72x106 Ω·cm ile 22,2x106 Ω·cm aralığında değişim gösterdi. Elektriksel ölçümlere dayanarak malzemenin ışığa duyarlı olduğu görüldü. Kimyasal püskürtme yöntemiyle üretilen Cd1-xPbxS ince filmler 90 dakika ultraviyole ışınlara maruz bırakıldı ve daha sonra deneyler tekrarlanarak filmlerin yasak enerji aralıklarındaki ve özdirenç değerlerindeki değişimler incelendi. Güneş pili malzemesi olarak kullanılan CdS filmlerinin özelliklerinin Pb katkısıyla değiştiği görülmektedir.