GaAs/ AlxGa1-xAs kuantum kuyu kızılötesi fotodedektörlerin optoelektronik özelliklerinin incelenmesi

Bu çalışmada moleküler demet epitaksi sisteminde büyütülmüş asimetrik GaAs/ AlxGa1-xAs çoklu kuantum kuyularını içeren yapıların elektriksel ve optiksel özellikleri incelenmiştir. Yapılar fotolitografi yöntemi kullanılarak aygıt formuna getirilmiştir. Yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi için sıcaklık bağımlı karanlık akım- voltaj karakteristikleri deneysel olarak ölçülmüştür. Asimetrik kuantum kuyularından oluşan yapıların karanlık akım- gerilim karakteristiklerinin de asimetrik davranış sergilediği görülmüştür. Isısal yayım kaynaklı karanlık akım Levine Modeli, 3D Taşıyıcı Sürükleme Modeli ve Salım Yakalama Modeli kullanılarak hesaplanmıştır. Deneysel bulguların ve hesaplanan sonuçların karşılaştırılması neticesinde deneysel sonuca en iyi uyan modelin Levine modeli olduğu tespit edilmiştir. Her bir yapı için taban enerji seviyeleri Kronig- Penney Metodu kullanılarak hesaplanmıştır. Yapıların optik özelliklerinin incelenmesi kapsamında sıcaklığa bağlı fotolüminesans ölçümleri alınmıştır.