GaN tabanlı sıcak elektron ışın yayıcı hetero-yapılar

Bu çalışmada, elektronik ve opto-elektronik aygıtların üretilmesinde kullanılan InGaN/GaN çoklu kuantum kuyu yapıların optik özellikleri incelenmiştir. Farklı kuantum kuyu sayısına ve In miktarına sahip olan örnekler safir alttaş üzerine büyütülmüştür. Optiksel ölçümlerin ilk kısmında, InGaN/GaN çoklu kuantum kuyu yapıların yayınım mekanizmasını incelemek için sıcaklığa bağlı (3-300 K) fotolüminesans ölçümleri alındı. Numunelerin fotolüminesans spektrumlarında gözlenen InGaN çoklu kuantum kuyusuna ait ana geçişin pik enerjisinin ve GaN bariyer pik enerjisinin sıcaklığa bağlı değişimleri temel Varshni ve Bant kuyruk modelleri ile desteklenerek incelendi. Kuantum kuyu sayısı ve In konsantrasyonunun bu parametreler üzerindeki etkisi araştırıldı. Çalışmanın ikinci kısmında ise sıcaklığa bağlı Raman ölçümleri alındı. Elde edilen spektrumlarda InGaN/GaN çoklu kuantum kuyu örneklerin boyuna optik fonon enerjileri belirlendi. Elde edilen sonuçlar literatür ile karşılaştırmalı olarak değerlendirildi.