GaTe ve GaTe:Cd yarı iletkenlerin büyütülmesi, yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi ve Schottky diyod uygulaması

GaTe ve Cd katkılı GaTe ikili yarıiletkenler, modifiye edilmiş Bridgman - Stockbarger kristal büyütme yöntemi ile elde edilmiştir. Büyütülen yarıiletkenlerin yapısal, morfolojik ve optiksel karakterizasyonları sırasıyla XRD, SEM, EDX, AFM ve soğurma ölçümleri ile yapılmıştır. XRD analizleri sonucunda, GaTe ve GaTe:Cd ikili yarıiletkenlerin monoklinik yapıya sahip oldukları ve Cd katkılaması sonucu pik şiddetlerinin arttığı ayrıca bazılarının azaldığı ve bazı piklerin yeni ortaya çıktığı gözlemlenmiştir. Tavlama sıcaklığının yapı üzerindeki etkisini belirlemek amacıyla büyütülen kristaller çeşitli sıcaklık değerlerinde (100, 200, 300, 350, 400, 500, 600 ve 700ºC) belirlenen süreler (10, 20 ve 30 dak.) boyunca azot gazı ortamında tavlanmış ve tavlamadan hemen sonra XRD analizleri yapılmıştır. GaTe ve GaTe:Cd yarıiletkenleri için EDX tekniği ile elde edilen atomik ağırlığı değerleri ile büyütme esnasında hesaplanıp uygulanan değerler birbirleriyle uyum içinde olduğu belirlenmiştir. Yarıiletkenlerin soğurma ölçümleri 320-10 K aralığında ve 10 K'lik adımlarla alınmış GaTe ve GaTe:Cd ikili bileşiklerine ait sıcaklığın bir fonksiyonu olarak soğurma katsayısı ve yasak enerji aralıkları hesaplanmıştır. GaTe ve Cd katkılı GaTe ikili yarıiletkenlerinden Schottky diyot elde edilmiştir. Elde edilen diyotun akım-voltaj ölçümleri karanlık ortamda, sıcaklığın bir fonksiyonu olarak (25-360 K aralığında) alınmıştır. Alınan ölçümler analiz edilerek diyot için önemli parametreler olan idealite faktörü ve engel yüksekliği hesaplanmıştır.