Antimoni çokluyapı tabanlı yüksek sıcaklıkta çalışan (HOT)kızılötesi dedektörler

Bu çalışmada, orta kızılötesi bölgesinde algılama yapmak amacıyla InAs/InAsSb süperörgü malzeme sisteminin kullanıldığı p-i-n ve nBn dedektör yapıları tasarlandı. Tasarlanan dedektör yapıları moleküler demet epitaksi tekniğiyle GaSb alttaş üzerine büyütüldü. Büyütme oranı, alttaş, akı modülasyonu gibi parametreler değiştirilerek kristal kalitesine olan etkileri incelendi. Üretilen dedektör yapılarının tek piksel aygıt fabrikasyonu yapılarak, karanlık akım ve spektral tepkileri incelendi. Ayrıca fotolüminesans tekniği kullanılarak soğurucu ve bariyer katmanlarındaki rekombinasyon mekanizmaları ve lokalize durumlar araştırıldı ve deneysel çalışmaların sonuçları sunulmuştur. Radyometrik yaklaşım ile farklı sahne sıcaklığında bir InAs/InAsSb dedektör için kuyu doluluk miktarı, dinamik aralık ve bit kayıpları gibi performansa etki eden parametreler incelenmiştir. Yapılan analizlerde dedektöre ait kuantum verimi, gürültüye eşdeğer sıcaklık farkı ve piksel homojensizliği hesaplamalarda göz önünde bulundurulmuştur.