Püskürtme tekniği ile bor katkılı ve katkısız indiyum oksit filmlerin yapısal, optik ve elektrik özelliklerinin incelenmesi

Katkısız ve bor katkılı indiyum oksit filmler, katkı kaynağı olarak borik asit (H3BO3) kullanılarak cam altlık üzerinde 380 °C'lik bir altlık sıcaklığında püskürtme yöntemi ile üretildi. Katkılama konsantrasyonunun katkısız ve bor katkılı In2O3 filmlerin özelliklerine etkisi incelenmiştir. XRD analizleri, tüm filmlerin kübik yapıya sahip polikristal olduğunu ve yaklaşık 9-10 Å kafes parametresine sahip (222), (400), (440) ve (622) yansıma düzlemlerinin baskın zirveleri olduğunu göstermektedir. Yapı bor ile katkılanınca bant aralığı enerjisinde azalma meydana gelir. Bu düşüş 0.03 M bor katkı maddesine kadar devam etmekte ve yine bu değerin üzerinde artma eğilimindedir. Bor konsantrasyonu 0.03 M'ye kadar yükseldikçe, artan kristal kalitesi nedeniyle taşıyıcıların saçılması ciddi bir şekilde zayıfladığından direnç değeri azalır diğer taraftan taşıyıcı konsantrasyonu ve Hall hareketlilik değerleri artar.