Ir ve Os katkılı NİO filmlerinin karakterizasyonu ve heteroeklem uygulamaları

Bu çalışmada, katkısız ve farklı hacim oranlarında (%1 ve %3) Os ve Ir katkılı NiO ince filmleri sol-jel döndürerek kaplama yöntemi kullanılarak cam ve n-tipi Si alttaşlar üzerine kaplanmıştır. Üretilen katkısız filmler molaritelerine göre NO1 ve NO3, Os katkılı filmler ONO1, ONO3 ve Ir katkılı filmler INO1, INO3 olarak adlandırılmıştır. Cam üzerine kaplanan katkısız, Os ve Ir katkılı NiO filmlerin yapısal, optik, elektrik ve morfolojik özellikleri incelenmiştir. Yapısal özellikleri incelemek üzere XRD ölçümleri sonucunda Os ve Ir katkısının NiO'in kristal yapısını bozduğu, kristal büyüklüğünün azaldığı gözlenmiştir. Optik ölçümler sonucunda katkı oranı artıkça optik bant aralığının azaldığı ve Urbach enerji değerlerinin arttığı gözlenmiştir. Morfolojik ölçümler sonucunda NO1 filminin yüzeyinin homojen olduğu ve Os katkısıyla büyük bir değişim olmadığı, NO3 filminin yüzeyinde kusurlar olduğu ve Ir katkısıyla homojen bir yüzey oluştuğu gözlenmiştir. Heteroeklem yapılar elde etmek için n-Si alttaş üzerine kaplanan katkısız, Os ve Ir katkılı NiO filmlerin akım-voltaj (I-V) ölçümleri alınmıştır. I-V ölçümleri sonucunda heteroeklem yapıların doğrultucu özellik gösterdiği gözlenmiş ve hesaplanan idealite faktörleri katkıya bağlı olarak artış göstermiştir. Fotosensör özelliklerini incelemek için fotosensitivite ve fototepki değerleri hesaplanmıştır. Os katkısı sonucunda fotosensitivitenin arttığı ve fototepkinin azaldığı gözlenmiştir. Ir katkısı sonucunda fotosensitivitenin ve fototepkinin azaldığı gözlenmiştir.