Katkılı metal oksit yarı iletken ince film gaz sensörlerinin üretimi ve karakterizasyonu

Kalay oksit bazlı ince film gaz sensörleri Elektron Demeti Buharlaştırma (e-beam) yöntemi ile üretildi ve 600oC de tavlandı. SnO2/SiO2 ince filmlerin yapısal, morfolojik, kimyasal ve elektriksel özellikleri detaylı bir şekilde çalışıldı. Yapısal analizler X-Işını Kırınımı (XRD) ile elde edildi ve ince filmlerin morfolojik özellikleri Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ile analiz edildi. Ayrıca SnO2/SiO2 ince filmlerin kimyasal bağ yapıları Fourier Dönüşüm Kızıl Ötesi Spektroskopi (FTIR) üzerinden analiz edildi ve elektriksel özellikleri akım-voltaj (I-V) karakteristiği kullanılarak araştırıldı. Daha sonrasında üretilen ince filmlere sırasıyla 1 saniye, 3 saniye ve 5 saniye Platin (Pt) kopartma (sputtering) yöntemi ile katkılandı. Pt katkılanmış ince filmlerin aynı şekilde yapısal, morfolojik, kimyasal ve elektriksel özellikleri araştırıldı ve tartışıldı. Son olarak, bu çalışmada üretilen tüm SnO2/SiO2 ince filmlerin oksijen algılama özelliği ve Pt katkılanmasının gaz duyarlılığına etkisi araştırıldı ve tartışıldı.